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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
42
读取速度,GB/s
12.8
13.3
写入速度,GB/s
7.3
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2233
2427
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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