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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
11.9
写入速度,GB/s
8.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2585
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
SK Hynix Kingston 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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