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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.3
10.4
写入速度,GB/s
8.6
5.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
1806
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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