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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
差异
规格
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
49
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
20
读取速度,GB/s
10.1
18.4
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3426
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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