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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
比较
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
总分
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
54
读取速度,GB/s
13.0
9.3
写入速度,GB/s
9.5
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2030
1904
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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