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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
总分
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.7
15.2
写入速度,GB/s
7.8
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2102
2882
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2400U2S 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
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