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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
总分
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.7
15.9
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2102
2952
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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