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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.9
18.2
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
3663
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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