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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

总分
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

总分
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

差异 规格 评论

差异

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB 需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB 需要考虑的原因
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 33
    左右 -18% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2667 left arrow 3217

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB RAM的比较

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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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内存RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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AMD R748G2606U2S 8GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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