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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
比较
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
总分
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.9
14.4
写入速度,GB/s
7.5
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
2495
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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