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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
比较
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
总分
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
差异
规格
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
11.5
17.6
写入速度,GB/s
6.7
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1857
3029
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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