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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
24.1
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.1
24.1
写入速度,GB/s
7.7
16.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
4001
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology 16GB
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