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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.1
17.4
写入速度,GB/s
7.7
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3340
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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