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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
比较
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
总分
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
总分
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.1
17.2
写入速度,GB/s
7.7
12.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2009
3119
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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