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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
7.3
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
3552
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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