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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
14.2
14.4
写入速度,GB/s
13.6
11.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2846
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
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