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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
47
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
45
读取速度,GB/s
11.8
13.2
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2841
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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