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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
4,937.3
13.9
写入速度,GB/s
2,061.2
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2387
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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