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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
比较
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
总分
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
51
读取速度,GB/s
13.2
9.9
写入速度,GB/s
7.3
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1489
2314
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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