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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

总分
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 50
    左右 -39% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    50 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 11.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1899 left arrow 2664

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM的比较

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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内存RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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