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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
13.4
19.3
写入速度,GB/s
8.4
15.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
3327
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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