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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
31
读取速度,GB/s
12.5
18.9
写入速度,GB/s
7.8
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
3356
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM的比较
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Super Talent F24UB16GV 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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