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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
28
读取速度,GB/s
12.5
16.7
写入速度,GB/s
7.8
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
2962
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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