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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 -15% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
26
读取速度,GB/s
12.5
12.2
写入速度,GB/s
7.8
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
1970
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM的比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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