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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
84
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
28
读取速度,GB/s
5.0
17.7
写入速度,GB/s
3.6
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3567
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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