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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
18.2
17.0
写入速度,GB/s
14.9
12.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3501
3151
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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