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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
39
读取速度,GB/s
12.0
14.5
写入速度,GB/s
7.8
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2980
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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