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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
56
读取速度,GB/s
11.9
9.5
写入速度,GB/s
8.5
7.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2138
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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