RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.5
16.6
写入速度,GB/s
8.5
13.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3155
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link