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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
65
读取速度,GB/s
11.5
16.8
写入速度,GB/s
8.5
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2042
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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