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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

总分
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

总分
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB 需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 29
    左右 7% 更低的延时
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.0 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 17.6
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 16.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1756 left arrow 3678

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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
内存RAM
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Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
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