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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
14.6
18.3
写入速度,GB/s
8.8
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3377
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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