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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
73
读取速度,GB/s
11.5
14.1
写入速度,GB/s
8.5
7.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
1609
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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