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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.5
15.1
写入速度,GB/s
8.5
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2631
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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