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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
11.5
15.9
写入速度,GB/s
8.5
11.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
2991
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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