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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
比较
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
总分
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
10.4
16.0
写入速度,GB/s
7.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
1897
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB RAM的比较
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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