RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
1897
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link