RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
6.1
17.3
写入速度,GB/s
4.1
12.3
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2979
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link