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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
比较
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
总分
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
总分
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
50
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
26
读取速度,GB/s
10.0
13.4
写入速度,GB/s
7.8
9.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2159
2563
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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