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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
14.5
15.7
写入速度,GB/s
9.7
11.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2987
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
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