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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
14.5
15.9
写入速度,GB/s
9.7
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2611
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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