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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

总分
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

总分
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB 需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 76
    左右 47% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 13.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 76
  • 读取速度，GB/s
    13.1 left arrow 13.5
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2148 left arrow 1587

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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
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