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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
13.1
19.5
写入速度,GB/s
8.5
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
3718
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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