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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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更快的读取速度,GB/s
13.8
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
40
读取速度,GB/s
13.1
13.8
写入速度,GB/s
8.5
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
2340
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
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