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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.4
18.1
写入速度,GB/s
9.2
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
3779
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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