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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
58
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
37
读取速度,GB/s
4,241.0
18.5
写入速度,GB/s
1,950.7
12.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3100
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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