RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
58
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3100
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link