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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.4
17.4
写入速度,GB/s
9.2
14.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
3327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
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