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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 4GB
比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs INTENSO 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
13.9
12.1
写入速度,GB/s
9.5
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2061
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM的比较
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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