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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.4
15.7
写入速度,GB/s
9.2
12.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
3062
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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